Kopijų ir defektų prevencija
Vaizdo ir pakuotės patikra
Elektrinės veiklos patikra
Paslaugų el. paštas:
[email protected]
>
FS03MR12A6MA1LB
Infineon Technologies
SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
36100 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 400A Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
Prašyti pasiūlymo
(Išsiuntimas rytoj)
*Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
5.0 / 5.0
- (42 Įvertinimai)
FS03MR12A6MA1LB
Produkto apžvalga
12963909
Detalių numeris
FS03MR12A6MA1LB-DGGamintojas
Infineon Technologies
FS03MR12A6MA1LB
Aprašymas
SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDDInventorius
36100 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 400A Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
Pirkimas ir užklausa
Garantija ir Grąžinimai
Kaip Užsakyti
Pristatymas ir pristatymas
Kokybės užtikrinimas
365 Dienų Kokybės Garantija - Kiekviena dalis visiškai garantuota.
90 dienų grąžinimo arba keitimo garantija - Sugadinti dalys? Be rūpesčių.
Ribotas atsargas, užsisakyk dabar - gaukite patikimas dalis be rūpesčių.
Pasaulinės siuntos ir saugūs pakuotės
Pristatymas visame pasaulyje per 3-5 darbo dienas
100% ESD Antistatikinės pakuotės
Gyvasis sekimas kiekvienam užsakymui
Saugus ir lankstus mokėjimas
Kreditinė kortelė, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Telegraphic Transfer (T/T) ir daugiau
Visi apmokėjimai yra šifruoti saugumo tikslais
FS03MR12A6MA1LB Techninės specifikacijos
Kategorija
Transistoriai, FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Pakuotė
-
Serijos
HybridPACK™
Produkto būsena
Active
Technologija
Silicon Carbide (SiC)
Konfigūracija
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1200V (1.2kV)
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
400A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 400A, 15V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5.55V @ 240mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
1320nC @ 15V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
42600pF @ 600V
Galia - Maks.
-
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Chassis Mount
Pakuotė / dėklas
Module
Tiekėjo įrenginių paketas
AG-HYBRIDD-2
Pagrindinio produkto numeris
FS03MR12
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Atsisiųsti FS03MR12A6MA1LB Produkto specifikacija (PDF)
HTML duomenų lapas
FS03MR12A6MA1LB-DG
Duomenų lapai
FS03MR12A6MA1LB
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
448-FS03MR12A6MA1LB
SP002725554
Standartinis paketas
6
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
환경을 생각하는 포장이 너무 좋아서 재주문하고 싶어요.
Dec 02, 2025
Die schnelle Reaktion bei Problemen ist beeindruckend und sehr beruhigend.
Dec 02, 2025
スピーディな注文処理で、急なニーズにも柔軟に対応してくれます。
Dec 02, 2025
Fast and efficient shipping, combined with tough, long-lasting products, makes them my top choice.
Dec 02, 2025
Top-tier quality and timely delivery make them my go-to electronics supplier.
Dec 02, 2025
Their support team is knowledgeable and always willing to go the extra mile for customers.
Dec 02, 2025
I was impressed by the thorough logistics tracking provided by DiGi Electronics; I could monitor my order every step of the way with clarity and ease.
Dec 02, 2025
Their commitment to after-sales support creates a strong foundation for our partnership.
Dec 02, 2025
Despite being shipped across long distances, the product remained pristine, thanks to sturdy packaging.
Dec 02, 2025
Excellent service! Their support staff patiently assists with every inquiry.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Dažnai užduodami klausimai (DUK)
Kokia yra infineon MOSFETElementų masyvo FS03MR12A6MA1LB įtampos vertė?
MOSFET elementų masyvas turi srovės nutekėjimo įtampą (Vdss) 1200 V (1,2 kV), tinkamą naudoti aukštos įtampos maitinimo taikymuose.
Ar infineon hibridinių MOSFET elementų masyvas yra suderinamas su didelės srovės taikymais?
Taip, šis MOSFET masyvas gali palaikyti nuolatinę srovę iki 400 A esant 25°C, todėl jis yra idealus didelės srovės maitinimo elektronikos taikymams.
Kokios pagrindinės pranašumai naudojant silicio karbido (SiC) MOSFET'us, tokius kaip HybridPACK™ serija?
Silicio karbido MOSFET'ai suteikia didesnį efektyvumą, greitesnį jungimo dažnį ir geresnį šiluminį našumą nei tradiciniai silicio įtaisai, kas pagerina visos sistemos patikimumą.
Ar infineon MOSFET elementų masyvą galima naudoti pramoniniuose variklių valdytojuose ir maitinimo keitikliuose?
Taip, FS03MR12A6MA1LB yra skirtas aukštos įtampos ir didelės srovės taikymams, tokiems kaip pramoniniai variklių valdytojai, maitinimo inverteriai ir kitos maitinimo konversijos sistemos.
Koks yra šio MOSFET modulio tvirtinimo tipas ir paketas, ar jis atitinka RoHS reikalavimus?
MOSFET elementų masyvas yra korpuso montavimo modulis su AG-HYBRIDD-2 paketu, ir jis atitinka RoHS3 standartus, užtikrinančius ekologiškas gamybos normas.
Kokybės užtikrinimas (QC)
DiGi užtikrina kiekvienos elektroninės dalies kokybę ir autentiškumą per profesionalią patikrą ir partijų atranką, garantuodama patikimą šaltinį, stabilią veiklą ir techninių specifikacijų laikymąsi, padedanti klientams sumažinti tiekimo grandinės riziką ir pasitikėti komponentais gamyboje.
FS03MR12A6MA1LB CAD Models
Infineon Technologies FS03MR12A6MA1LB PCB symbols & footprints
productDetail
