Kopijų ir defektų prevencija
Vaizdo ir pakuotės patikra
Elektrinės veiklos patikra
Paslaugų el. paštas:
[email protected]
>
SI2387DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
15100 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Prašyti pasiūlymo
(Išsiuntimas rytoj)
*Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
5.0 / 5.0
- (507 Įvertinimai)
SI2387DS-T1-GE3
Produkto apžvalga
12959113
Detalių numeris
SI2387DS-T1-GE3-DGGamintojas
Vishay Siliconix
SI2387DS-T1-GE3
Aprašymas
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1Inventorius
15100 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
Pirkimas ir užklausa
Garantija ir Grąžinimai
Kaip Užsakyti
Pristatymas ir pristatymas
Kokybės užtikrinimas
365 Dienų Kokybės Garantija - Kiekviena dalis visiškai garantuota.
90 dienų grąžinimo arba keitimo garantija - Sugadinti dalys? Be rūpesčių.
Ribotas atsargas, užsisakyk dabar - gaukite patikimas dalis be rūpesčių.
Pasaulinės siuntos ir saugūs pakuotės
Pristatymas visame pasaulyje per 3-5 darbo dienas
100% ESD Antistatikinės pakuotės
Gyvasis sekimas kiekvienam užsakymui
Saugus ir lankstus mokėjimas
Kreditinė kortelė, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Telegraphic Transfer (T/T) ir daugiau
Visi apmokėjimai yra šifruoti saugumo tikslais
SI2387DS-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
Transistoriai, FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Pakuotė
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serijos
TrenchFET® Gen IV
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
80 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.1A (Ta), 3A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
164mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
10.2 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
395 pF @ 40 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-23-3 (TO-236)
Pakuotė / dėklas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Atsisiųsti SI2387DS-T1-GE3 Produkto specifikacija (PDF)
HTML duomenų lapas
SI2387DS-T1-GE3-DG
Duomenų lapai
SI2387DS
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SI2387DS-T1-GE3CT
742-SI2387DS-T1-GE3TR
Standartinis paketas
3,000
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
포장 재료가 친환경적이라 환경 보호에 도움을 주는 것 같아 기뻤어요.
Dec 02, 2025
Une marque que je recommande pour des produits à la fois économiques et performants.
Dec 02, 2025
Le support après-vente de cette entreprise est au top, leur équipe est agréable et efficace.
Dec 02, 2025
物流の効率化により、コストと時間の両方を節約できました。
Dec 02, 2025
商品の品質は抜群で、配送もとても早かったです。素晴らしい体験でした！
Dec 02, 2025
Rapid shipping with sturdy, safe packaging—couldn't ask for more.
Dec 02, 2025
They consistently demonstrate professionalism in both support and shipping.
Dec 02, 2025
Overall, their excellent after-sales support and inventory management make them our preferred supplier.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Dažnai užduodami klausimai (DUK)
Kokios yra pagrindinės Vishay SI2387DS-T1-GE3 P-kanalio MOSFET funkcijos?
Vishay SI2387DS-T1-GE3 yra P-kanalio MOSFET su 80V įtampos įvertinimu, nuolatiniu srautu prieš 2,1A (esant 25°C) ir žemu Rds On - 164 mΩ prie 10V. Jis skirtas paviršinio surinkimo taikymams su SOT-23 dėklu ir pagamintas naudojant tranšėjų technologiją efektyviam perjungimo našumui užtikrinti.
Ar Vishay SI2387DS-T1-GE3 tinka dažnai perjungimo taikymams esant aukštai dažnių diapazonui?
Taip, šio MOSFET žemas vartų įkrova (10,2 nC prie 10V) ir maža įėjimo kapacitancija (395 pF prie 40V) leidžia jį naudoti aukšto dažnio perjungimui ir efektyviam energijos valdymui įvairiuose elektronikos įrenginiuose.
Kokie yra tipiniai naudojimo būdai vietose, kur naudojamas SI2387DS-T1-GE3 P-kanalio MOSFET?
Šis P-kanalio MOSFET idealiai tinka apkrovos perjungimui, energijos valdymui ir aukštosios įtampos perjungimui vartotojų elektronikoje, automobiliuose ir pramonės taikymuose dėl didelio įtampos palaikymo ir žemos įkrovos varžos.
Ar Vishay SI2387DS-T1-GE3 yra suderinamas su standartinėmis paviršiaus surinkimo technologijomis?
Taip, įrenginys yra SOT-23-3 dėkle, kuris plačiai naudojamas paviršiaus surinkimo technologijose, todėl jis yra suderinamas su standartinėmis PCB surinkimo ir automatizuotomis gamybos technologijomis.
Kokią after-sales pagalbą galima gauti naudojant Vishay SI2387DS-T1-GE3 MOSFET?
Kadangi produktas yra iš Vishay ir yra aktyvus bei sandėlyje, techninė pagalba, duomenų lapai ir garantijos paslaugos paprastai yra prieinamos per įgaliotus platintojus ir Vishay klientų aptarnavimo tarnybas.
Kokybės užtikrinimas (QC)
DiGi užtikrina kiekvienos elektroninės dalies kokybę ir autentiškumą per profesionalią patikrą ir partijų atranką, garantuodama patikimą šaltinį, stabilią veiklą ir techninių specifikacijų laikymąsi, padedanti klientams sumažinti tiekimo grandinės riziką ir pasitikėti komponentais gamyboje.
SI2387DS-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SI2387DS-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
