Kopijų ir defektų prevencija
Vaizdo ir pakuotės patikra
Elektrinės veiklos patikra
Paslaugų el. paštas:
[email protected]
>
SIR516DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
500100 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
N-Channel 100 V 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Prašyti pasiūlymo
(Išsiuntimas rytoj)
*Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
5.0 / 5.0
- (200 Įvertinimai)
SIR516DP-T1-RE3
Produkto apžvalga
12968163
Detalių numeris
SIR516DP-T1-RE3-DGGamintojas
Vishay Siliconix
SIR516DP-T1-RE3
Aprašymas
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWInventorius
500100 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
N-Channel 100 V 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
Pirkimas ir užklausa
Garantija ir Grąžinimai
Kaip Užsakyti
Pristatymas ir pristatymas
Kokybės užtikrinimas
365 Dienų Kokybės Garantija - Kiekviena dalis visiškai garantuota.
90 dienų grąžinimo arba keitimo garantija - Sugadinti dalys? Be rūpesčių.
Ribotas atsargas, užsisakyk dabar - gaukite patikimas dalis be rūpesčių.
Pasaulinės siuntos ir saugūs pakuotės
Pristatymas visame pasaulyje per 3-5 darbo dienas
100% ESD Antistatikinės pakuotės
Gyvasis sekimas kiekvienam užsakymui
Saugus ir lankstus mokėjimas
Kreditinė kortelė, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Telegraphic Transfer (T/T) ir daugiau
Visi apmokėjimai yra šifruoti saugumo tikslais
SIR516DP-T1-RE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
Transistoriai, FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Pakuotė
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
16.8A (Ta), 63.7A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
7.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1920 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
5W (Ta), 71.4W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Atsisiųsti SIR516DP-T1-RE3 Produkto specifikacija (PDF)
HTML duomenų lapas
SIR516DP-T1-RE3-DG
Duomenų lapai
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SIR516DP-T1-RE3CT
742-SIR516DP-T1-RE3TR
742-SIR516DP-T1-RE3DKR
Standartinis paketas
3,000
Alternatyvios dalys
DALIES NUMERIS
GAMINTOJAS
PRIEINAMAS KIEKIS
DiGi DALIES NUMERIS
VISO KAINA
Pakeitimo tipas
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
J’ai été agréablement surpris par la vitesse de livraison et la sécurité de l’emballage.
Dec 02, 2025
Schnelle Lieferung und dauerhafte Qualität – so funktioniert Einkauf bei DiGi Electronics.
Dec 02, 2025
いつも迅速かつ丁寧に対応してくれるので、信頼しています。こちらの要望も親身に叶えてくれます。
Dec 02, 2025
DiGi Electronics consistently provides support that aligns with our expectations.
Dec 02, 2025
The support team was proactive and attentive to my needs after purchase.
Dec 02, 2025
Prompt shipment and sturdy packaging demonstrated their professionalism.
Dec 02, 2025
My order arrived sooner than expected, and the customer service team was very helpful afterward.
Dec 02, 2025
Their after-sales service is reliable and always ready to assist with any concerns.
Dec 02, 2025
DiGi Electronics's shipping process is seamless, saving me valuable time on project deadlines.
Dec 02, 2025
Their quality of post-purchase support reassures me that I made the right choice.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Dažnai užduodami klausimai (DUK)
Kokios pagrindinės Vishay SIR516DP-T1-RE3 MOSFET savybės?
Vishay SIR516DP-T1-RE3 yra N-kanalo paviršiaus montuojamas MOSFET su įtampa 100V ir nuolatiniu srovių srautu iki 16,8A prie 25°C. Jis pasižymi žemu Rds On - 8 mΩ esant 10A, todėl tinka aukštos efektyvumo maitinimo sprendimams. Prietaisas yra su jočiu PowerPAK\u00AE SO-8, užtikrinančiu paprastą paviršiaus montavimą ir gerą šilumos sklaidą.
Kokioms taikymo sritims tinka šis 100V MOSFET?
Šis 100V N-kanalo MOSFET puikiai tinka maitinimo valdymui, išjungimo ir įjungimo maitinimo šaltiniuose, variklių valdyme bei kituose aukštos srovės elektronikos grandinėse, kur reikalingas efektyvus jungimas ir mažas šilumos generavimas. Jo didelė srovės talpa leidžia jį naudoti sudėtingose maitinimo schemose.
Ar Vishay SIR516DP-T1-RE3 suderinamas su standartinėmis PCB schemomis?
Taip, šis prietaisas yra su PowerPAK\u00AE SO-8 paketu, kuris yra dažnas paviršiaus montavimo paketas ir suderinamas su standartinėmis PCB išdėstymais. Jis skirtas lengvai integracijai tiek jau esamose, tiek naujose schemose.
Kokią naudą suteikia šio MOSFET naudojimas vietoje tradicinių silicio tranzistorių?
Šis MOSFET pasižymi mažesniu Rds On, didesniu efektyvumu ir geresniais jungimo rodikliais lyginant su tradiciniais silicio tranzistoriais. Jo maža vartojamojo įkrovimo vertė ir didelė srovės talpa padeda sumažinti energijos nuostolius ir pagerina termostabilumą.
Kaip įsigyti ir kur gauti techninę pagalbą dėl Vishay SIR516DP-T1-RE3 MOSFET?
Vishay SIR516DP-T1-RE3 yra prieinamas sandėlyje pasaulinėse platintojų tinkluose. Dėl techninės pagalbos ar garantijos klausimų kreipkitės į įgaliotus Vishay atstovus arba peržiūrėkite produkto duomenų lapą dėl išsamių specifikacijų ir naudojimo instrukcijų.
Kokybės užtikrinimas (QC)
DiGi užtikrina kiekvienos elektroninės dalies kokybę ir autentiškumą per profesionalią patikrą ir partijų atranką, garantuodama patikimą šaltinį, stabilią veiklą ir techninių specifikacijų laikymąsi, padedanti klientams sumažinti tiekimo grandinės riziką ir pasitikėti komponentais gamyboje.
SIR516DP-T1-RE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR516DP-T1-RE3 PCB symbols & footprints
productDetail
