Kopijų ir defektų prevencija
Vaizdo ir pakuotės patikra
Elektrinės veiklos patikra
Paslaugų el. paštas:
[email protected]
>
SIZ270DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
695990 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
Mosfet Array 100V 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Prašyti pasiūlymo
(Išsiuntimas rytoj)
*Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
5.0 / 5.0
- (170 Įvertinimai)
SIZ270DT-T1-GE3
Produkto apžvalga
12939803
Detalių numeris
SIZ270DT-T1-GE3-DGGamintojas
Vishay Siliconix
SIZ270DT-T1-GE3
Aprašymas
MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIRInventorius
695990 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
Mosfet Array 100V 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
Pirkimas ir užklausa
Garantija ir Grąžinimai
Kaip Užsakyti
Pristatymas ir pristatymas
Kokybės užtikrinimas
365 Dienų Kokybės Garantija - Kiekviena dalis visiškai garantuota.
90 dienų grąžinimo arba keitimo garantija - Sugadinti dalys? Be rūpesčių.
Ribotas atsargas, užsisakyk dabar - gaukite patikimas dalis be rūpesčių.
Pasaulinės siuntos ir saugūs pakuotės
Pristatymas visame pasaulyje per 3-5 darbo dienas
100% ESD Antistatikinės pakuotės
Gyvasis sekimas kiekvienam užsakymui
Saugus ir lankstus mokėjimas
Kreditinė kortelė, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Telegraphic Transfer (T/T) ir daugiau
Visi apmokėjimai yra šifruoti saugumo tikslais
SIZ270DT-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
Transistoriai, FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Pakuotė
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serijos
TrenchFET® Gen IV
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
27nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
860pF @ 50V, 845pF @ 50V
Galia - Maks.
4.3W (Ta), 33W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-PowerWDFN
Tiekėjo įrenginių paketas
8-PowerPair® (3.3x3.3)
Pagrindinio produkto numeris
SIZ270
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Atsisiųsti SIZ270DT-T1-GE3 Produkto specifikacija (PDF)
HTML duomenų lapas
SIZ270DT-T1-GE3-DG
Duomenų lapai
Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFETs
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SIZ270DT-T1-GE3CT
742-SIZ270DT-T1-GE3DKR
742-SIZ270DT-T1-GE3TR
Standartinis paketas
3,000
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
일처리 속도와 친절도가 정말 뛰어나요. 고객의 요구에 늘 귀 기울여 주셔서 감사했어요.
Dec 02, 2025
售後服務細心周到，遇到問題店家都積極協助解決，體驗非常好。
Dec 02, 2025
產品的耐用性非常棒，歷經多次使用仍然保持良好狀態，證明他們對品質的堅持。
Dec 02, 2025
I’m impressed by their cost-effective offerings and eco-friendly approach to packaging.
Dec 02, 2025
I appreciate their punctual shipping; it helps me plan my projects without delays.
Dec 02, 2025
Excellent communication and tracking updates during shipping.
Dec 02, 2025
I appreciate how quickly they shipped my order; it was at my doorstep before I even expected.
Dec 02, 2025
Their prompt and professional after-sales responses enhance my overall experience.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Dažnai užduodami klausimai (DUK)
Kokios pagrindinės Vishay SIZ270DT-T1-GE3 MOSFET blokų savybės?
Vishay SIZ270DT-T1-GE3 yra dvejantas N-kanalo MOSFETų blokas, turintis 100 V nusileidimo įtampą ir didelę srovės valdymo galimybę. Jis tinka paviršiaus montavimo taškų taikymams su 8-PowerPair® paketu. Siūlo žemą Rds On, efektyvų galios paskirstymą ir patikimą veikimą temperatūriniuose diapazonuose.
Kaip galėčiau naudoti Vishay SIZ270DT-T1-GE3 MOSFET bloką elektronikos grandinėse?
Šis MOSFET blokas yra idealus aukšto efektyvumo jungtynėms, maitinimo valdymui ir variklio valdymo grandinėms. Dvejopo N-kanalo konfigūracija leidžia kurti kompaktiškus sprendimus su supaprastintu valdymu, todėl jis tinka įvairioms galiųjų elektronikos sistemoms.
Ar Vishay SIZ270DT-T1-GE3 yra suderinamas su mano esama grandinė?
Taip, šis MOSFET blokas yra suderinamas su standartinėmis paviršiaus montavimo PCB schemomis ir reikalauja 10 V įėjimo įtampos optimaliam veikimui. Jo techninės charakteristikos atitinka dažniausiai naudojamus didelės srovės junginių ir galios keitimo poreikius.
Kokią naudą suteikia pasirinkti Vishay Series TrenchFET® Gen IV MOSFET'us?
TrenchFET® Gen IV MOSFET'ai pasižymi žemesniu Rds On, geresne efektyvumu ir sumažintais conduction nuostoliais, kas pagerina bendrą sistemos veikimą. Jie sukurtas patikimam darbui aukštose temperatūrose ir turi tvirtas galios valdymo savybes.
Ką reikėtų žinoti apie pirkimą ir garantiją, įsigyjant Vishay SIZ270DT-T1-GE3 MOSFET bloką?
Šis MOSFET blokas yra sandėlyje kaip naujas, originalus komponentas, atitinkantis RoHS3 reikalavimus ir turintis neribotą drėgmės jautrumo lygį. Dėl po-pardavimo garantijos ar techninės pagalbos kreipkitės į platintoją arba oficialius Vishay klientų aptarnavimo kanalus.
Kokybės užtikrinimas (QC)
DiGi užtikrina kiekvienos elektroninės dalies kokybę ir autentiškumą per profesionalią patikrą ir partijų atranką, garantuodama patikimą šaltinį, stabilią veiklą ir techninių specifikacijų laikymąsi, padedanti klientams sumažinti tiekimo grandinės riziką ir pasitikėti komponentais gamyboje.
SIZ270DT-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIZ270DT-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
